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解读SiCMosfet驱动电路

菜鸟
2020-10-12 12:16:53    评分

解读SiC Mosfet驱动电路


在设计开关和马达驱动电路的时候,很多电力电子专家都会想到Mosfet驱动电路的应用,安森美半导体就提供了很多关于mosfet驱动电路的产品和方案,来帮助我们更好的完成电路设计。和传统的mosfet有所区别,安森美半导体将半导体节能技术和电子技术相结合,可以使mosfet的能耗实现更低的目标,与此同时,设计低能耗高效率的mosfet驱动也是产品应用综合发展的关键因素之一,在提高产品环保性能方面可发挥巨大的作用。


安森美半导体是该技术的先锋,并创建了最低RDSon的SiC MOSFET之一。在封装技术和高能效电源方案方面投入较多,包括先进的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二极管、SiC和氮化镓(GaN)驱动器及集成模块。


最近,安森美半导体推出了两个新系列:1200伏(V)和900V N沟道 SiC MOSFET,并扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。其中,NTHL020N120SC1的设计旨在在1200V的阻断电压(VDSS)下提供极低的导通损耗。此外,它被设计为以低内部门极电阻(Rg =1.81Ω)和低输出电容(Coss = 260pF)快速驱动。相对于市场上的其他器件,NTHL020N120SC1具有一些优势-强大的氧化物性能(VGS额定值为+25V/-15V),无Vth漂移,无体二极管漂移,高开关速度,具有dv/dt控制的平滑门极驱动以及强大的体二极管用于硬开关。


SiC的优势在于材料本身具有比硅高10倍的介电击穿场强,高2倍的电子饱和速率,高3倍的导热率。系统优势是降低功率损耗,提高功率密度、工作频率,耐受的工作温度,降低EMI,最重要的是降低系统尺寸和成本,从而提供最高能效。所以将SiC用于Mosfet驱动电路的设计是安森美的一大亮点,也是未来Mosfet驱动电路发展的一个新趋势。




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