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碳化硅(SiC)肖特基二极管的发展及优势

菜鸟
2020-11-10 09:31:31     打赏

碳化硅(SiC)肖特基二极管的发展及优势


受电动汽车、网络技术、光伏逆变器等需求市场的不断驱动,电子电力元件在近几年的发展中表现出顽强的生命力,同时随着全球变暖的问题愈加严重,降低能耗的低碳技术成为发展的首要考虑因素。


因此在这种时代大背景之下,安森美半导体半导体凭借独特的特征优势,推出了热门新品碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管——NDSH25170A——1700V SiC二极管,具有无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性,是拥有出色的热性能的新一代功率半导体产品,它的最高结温可达175 ºC,额定雪崩能量400 mJ,拥有高浪涌电流,同时还符合AEC-Q101和PPAP标准,无论是在功能方面还是安全性能方面都很出色。


目前,以碳化硅为代表的第三代半导体逐渐走在技术发展舞台的最前面,碳化硅器件可实现在更高温度、电压及频率环境正常工作,消耗电力更少、持久性和可靠性更高。目前,安森美半导体等厂商正致力于研发更优质的产品,实现更小体积、更快速度、更低成本、更高效率。




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