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[文章]功率MOSFET的正向导通等效电路

工程师
2021-09-20 17:48:32     打赏
一、功率MOSFET的正向导通等效电路
1)等效电路:
2)说明:
功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高,该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。
二、功率MOSFET的反向导通等效电路(1)
1)等效电路(门极不加控制):
2)说明:
即内部二极管的等效电路,可用一电压降等效,此二极管为MOSFET 的体二极管,多数情况下,因其特性很差,要避免使用。
三、功率MOSFET的反向导通等效电路(2)
1)等效电路(门极加控制):
2)说明:
功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通,也可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高,该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。此工作状态称为MOSFET 的同步整流工作,是低压大电流输出开关电源中非常重要的一种工作状态。
四、功率MOSFET的正向截止等效电路
1)等效电路:
2)说明:
功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效,其容量与所加的正向电压、环境温度等有关,大小可从制造商的手册中获得。
五、功率MOSFET的稳态特性总结
1)功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线:
2)说明:
功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点:
当门极不加控制时,其反向导通的稳态工作点同二极管。
3)稳态特性总结:
门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态;当Vgs<Vth时,器件处于断开状态,Vth一般为 3V;当Vgs>Vth时,器件处于导通状态;器件的通态电阻与Vgs有关,Vgs大,通态电阻小;多数器件的Vgs为 12V-15V ,额定值为 -30V;
器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的;只要实际的漏极电流有效值没有超过其额定值,保证散热没问题,则器件就是安全的;
器件的通态电阻呈正温度系数,故原理上很容易并联扩容,但实际并联时,还要考虑驱动的对称性和动态均流问题;
目前的 Logic-Level的功率 MOSFET,其Vgs只要 5V,便可保证漏源通态电阻很小;
器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛,原因是它的通态电阻非常小(目前最小的为2-4 毫欧),在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件。





关键词: 功率     MOSFET     正向     导通     等效电路    

工程师
2021-09-20 18:20:51     打赏
2楼

期待更


工程师
2021-09-20 18:37:59     打赏
3楼

谢谢分享


工程师
2021-09-20 18:50:18     打赏
4楼

学习一下


工程师
2021-09-20 18:58:59     打赏
5楼

学习一下


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