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HB6296应用指南

一：布线：

a: 电流检测电阻设法靠近hb6296，检测电阻上电压信号很弱，为减少干扰，必须靠近hb6296，应用图上对应的R17.

b: Regn（15脚）上电容必须靠近hb6296，越近越好，电容和ic放一面，避免走线打孔。

c：主回路遵循一般dcdc走线要求，从输入到输出，地线不要搞成一片，必须是带状（输入+，-不要和输出+，-短在一起）。电流必须经过二个电解滤波。

d:单点接地，把hb6296的地和周围元件的地（不含mosfet）先当某信号线联起来。再接到电池电容的地上，线宽要2mm或以上。

二：a: 很多客户（80%）喜欢把vcc（3脚）接到防反二极管的右端，这是错误的，pwm mosfet有寄生二极管，电池电压会通过pwm的寄生二极管传到防反二极管的右端。如果这样接，会导致hb6290&6293的Vcc一直有电，消耗电池电量（0.8ma），还会导致hb6290&hb6293的逻辑混乱。

b: ao4480最大电流只有3A，datasheet上的峰值电流（在某种测试条件下），否则有小量的mosfet会损坏。Aod526可以走3-5A，5A以上，上管用2个252封装的mosfet，下管用一个252封装.

c:和电池并联的电解电容至少要100uf，否则插拔电池时，打火，小部分ic会打坏。节数越多，电容容量越大。

d:对小部分客户，需要用ntc，ntc引线比较远，插拔电池（ntc一般在电池里），容易引入esd，打坏ic。为保护ic，需要再低6脚串一个470-1K的电阻。同时接62K电阻到地。

三：这款ic是经典的降压电路，电感计算公式可以参考。

电感计算公式：L=（Vin-Vbat）*Ton/(Imax/D)。其中D是占空比，Ton=T*D。L=(Vin-Vbat)*T。T是开关周期，Vbat取3.7*n节。HB6296的开关频率是变的，电压高（高于30V）是270K，（T=3.8us）。电压低（低于30V）的频率是360Khz，是2.8us。对4节锂电，输入电压25V，输出电流5A。则L=（25-14.8）*2.8us/5A=5.7uH，取6.8uh。

五：散热。对于低压（小于35V），我测试的结果hb6296不需要加散热片，P=(35V-5.4)*12ma=360mw,HB6296本身带散热片，外面可以不加。如果驱动2个上管mosfet，Icc会上升到20ma，这时P=（35-5.4）*20ma=600mw，应该考虑加散热片。 Mosfet的散热也要特别讲究。主要要考虑上管（pwm管）。

六：mosfet选择最好要用Ciss小的，tr，tf比较短的，mosfet。这样mosfet发热少，hb6296发热也少。但是也不能太少，太少电感波形太陡，emc和emi过不去，也干扰hb6296。

七：为了emc和emi的考虑，主电流回路要越短越好，交流回路也要越短越好，特别是lx这个net上，交流通路可以用4.7uf的瓷片电容放置相关的地方，比较有效的减少交流通路的长度。

HB6296应用指南

一：布线：

a: 电流检测电阻设法靠近hb6296，检测电阻上电压信号很弱，为减少干扰，必须靠近hb6296，应用图上对应的R17.

b: Regn（15脚）上电容必须靠近hb6296，越近越好，电容和ic放一面，避免走线打孔。

c：主回路遵循一般dcdc走线要求，从输入到输出，地线不要搞成一片，必须是带状（输入+，-不要和输出+，-短在一起）。电流必须经过二个电解滤波。

d:单点接地，把hb6296的地和周围元件的地（不含mosfet）先当某信号线联起来。再接到电池电容的地上，线宽要2mm或以上。

二：a: 很多客户（80%）喜欢把vcc（3脚）接到防反二极管的右端，这是错误的，pwm mosfet有寄生二极管，电池电压会通过pwm的寄生二极管传到防反二极管的右端。如果这样接，会导致hb6290&6293的Vcc一直有电，消耗电池电量（0.8ma），还会导致hb6290&hb6293的逻辑混乱。

b: ao4480最大电流只有3A，datasheet上的峰值电流（在某种测试条件下），否则有小量的mosfet会损坏。Aod526可以走3-5A，5A以上，上管用2个252封装的mosfet，下管用一个252封装.

c:和电池并联的电解电容至少要100uf，否则插拔电池时，打火，小部分ic会打坏。节数越多，电容容量越大。

d:对小部分客户，需要用ntc，ntc引线比较远，插拔电池（ntc一般在电池里），容易引入esd，打坏ic。为保护ic，需要再低6脚串一个470-1K的电阻。同时接62K电阻到地。

三：这款ic是经典的降压电路，电感计算公式可以参考。

电感计算公式：L=（Vin-Vbat）*Ton/(Imax/D)。其中D是占空比，Ton=T*D。L=(Vin-Vbat)*T。T是开关周期，Vbat取3.7*n节。HB6296的开关频率是变的，电压高（高于30V）是270K，（T=3.8us）。电压低（低于30V）的频率是360Khz，是2.8us。对4节锂电，输入电压25V，输出电流5A。则L=（25-14.8）*2.8us/5A=5.7uH，取6.8uh。

五：散热。对于低压（小于35V），我测试的结果hb6296不需要加散热片，P=(35V-5.4)*12ma=360mw,HB6296本身带散热片，外面可以不加。如果驱动2个上管mosfet，Icc会上升到20ma，这时P=（35-5.4）*20ma=600mw，应该考虑加散热片。 Mosfet的散热也要特别讲究。主要要考虑上管（pwm管）。

六：mosfet选择最好要用Ciss小的，tr，tf比较短的，mosfet。这样mosfet发热少，hb6296发热也少。但是也不能太少，太少电感波形太陡，emc和emi过不去，也干扰hb6296。

七：为了emc和emi的考虑，主电流回路要越短越好，交流回路也要越短越好，特别是lx这个net上，交流通路可以用4.7uf的瓷片电容放置相关的地方，比较有效的减少交流通路的长度。