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在一些防护等级较高的应用场合,并且后级被保护电路对残压的要求并不是太高,可以选用该方案,MOV串联一颗压敏电阻进行保护。MOV具有从7mm~25mm不同的尺寸,不同尺寸的MOV防护等级也不同,尺寸越大防护等级越高。GDT的选择根据MOV来选取,GDT的通流量应根据MOV的通流量选择,选择时应大于等于MOV的通流量。

该方案为典型的两级防护方案。在一些防护等级较高的应用场合并且后级被保护电路对残压的要求较高,可以选用该方案。第一级采用MOV和GDT串联泄放大部分的浪涌电流到地,第二级采用TVS进行二次降残压。中间必须加退耦器件,退耦器件根据实际电路设计选择功率型电阻或电感,选择的退耦器件应在浪涌测试时有足够的阻抗使后级TVS能够启动工作。该电路的防护等级取决于第一级电路的MOV和GDT,后级残压取决于第二级TVS的选择。

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