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P型半导体或者N型半导体的导电能力虽然比本征半导体的导电能力增强了，但还不能直接用来制造半导体器件。通常在一个晶片上，采取以订单的掺杂工艺，在两端分别形成P型半导体和N型半导体。在PN结上分别接出引线，从而形成二极管。二极管的伏安特性类似于下图所示：

不同工艺、不同掺杂物质的二极管，伏安特性的具体参数是不一样的。

比如锗二极管通常是点接触型的二极管，其正向压降一般在0.2V左右，硅二极管通常是面接触型的，正向压降一般在0.7V左右。我们现在使用的器件中，锗二极管、三极管一般很少能见到了。

    随着工艺的发展和应用的需求，现在的二极管，已经发展出更多种类的二极管。如：普通二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管等。以后应该还会有其它应用的二极管出现。