RAM调试正常,flash烧写后,不能正常运行!
请问什么地方设置不对?
用ADS编译。在RAM_ICE里能正确编译
flash项目里编译有一堆警告。
应该是RO_BASE和RW_BASE的问题.另外,在编译的时候,保证执行的第一条指令是被编译到地址0x0的.
RO_BASE和RW_BASE各是什么含义(我理解的是FLASH的硬件地址和RAM的硬件口地址。)
是不是有什么错误?我的设置如下:
FLASH-2MB:OX1000000;
SRAM-256KB:0X2000000;
imagine ENTRY:0X1000000;
上电后,你的FLASH不在地址0X0吗? 如果是烧写到FLASH里去的话,你的程序的ENTRY POINT应该是0X0.