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（1）、判断栅极和管型：用万用表Rx100的电阻挡，任意测量两个引脚之间的正、负电阻值。如果其中一次测量中测得两电极的阻值为数百欧，那么两表笔所接的电极为源极S 和漏极D，另一电极为栅极。

用万用表Rx1K挡，测量管子的漏源极之间的正、负电阻值，正常时，正向电阻值为2K欧，而反向电阻值则大于500K欧。在测量反向电阻时红表笔所接的电极不动，黑表笔脱离所接电极后，先与栅极G触碰一下，然后再接回原电极，观察表针变化，若从原来较大阻值变为零，则红表笔所接的电极，为源极S ，黑表笔所接的电极为漏极D，而且是N沟道的功率MOS场效应晶体管。

（2）、判断功率MOS场效应晶体管的好坏。用万用表Rx1K挡，测量任意两个电极之间的正、负电阻值，正常时除漏极D与源极S的正向电阻值较小外，其余各电极之间（栅极G与漏极D、栅极G与源极S ）的正反向电阻值都接近无穷大。若测得两引脚之间的电阻值为零，则说明该管损坏。

另外，还可用触发栅极（N沟道功率MOS场效应晶体管用黑表笔触发）的方法来判断管子是否损坏，若触发有效，则漏极D与源极S之间的正反向电阻值均变为零，则可确定管子性能良好。

（3）、注意事项。功率MOS管亦分为N沟道管和P沟道，但绝大多数器件属于N沟道管。在选用时，所选管子与应用电路要留有充分信息量，使用功率MOS管时必须加合适的散热器，才能充分发挥它的输出功率。如：VNF306型的管子加装140mmx140mmx4mm的散热器后，最大功率才能达到30W。