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MOSFET MOSFET为何发热厉害 ?
问
用两个IRF2110 组成H BIRDGE 电路。 14V供电。
按标准电路接好。上臂的MOSFET:
HIN为底时HO 输出为13。5V。
HIN为高时HO 输出为0V。
下臂正常。
当把VS接GND时。输出为12。8V。电路工作。但上臂的MOSFET发热厉害。
正常应为22。8V。 为何仅有12。8V?
请各位高手指教。 答 1: 若不是输出负载过重,就可能是G级激励电压不足,导致内阻过大 答 2: 快要沉了! 同意楼上的.是激励电压不足。
按标准电路并且参照了别人的成功电路。
下臂工作是正常的。
上臂的MOSFET不正常:
HIN为底时 HO 为13。5V。 // 正常的。
HIN为高时 HO 输出为0V。 //不正常的!应该为23V左右。
VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是0V
正常是: VB=23V。HO=23V(GATE驱动)。VS=12.8V(S 极)。
难道电路哪里模仿错了?
答 3: 更正。 VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是0V
应为
VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是 13。5V
答 4: DING 答 5: 解决了,OK!找到问题了!
又学了一点东西!
按标准电路接好。上臂的MOSFET:
HIN为底时HO 输出为13。5V。
HIN为高时HO 输出为0V。
下臂正常。
当把VS接GND时。输出为12。8V。电路工作。但上臂的MOSFET发热厉害。
正常应为22。8V。 为何仅有12。8V?
请各位高手指教。 答 1: 若不是输出负载过重,就可能是G级激励电压不足,导致内阻过大 答 2: 快要沉了! 同意楼上的.是激励电压不足。
按标准电路并且参照了别人的成功电路。
下臂工作是正常的。
上臂的MOSFET不正常:
HIN为底时 HO 为13。5V。 // 正常的。
HIN为高时 HO 输出为0V。 //不正常的!应该为23V左右。
VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是0V
正常是: VB=23V。HO=23V(GATE驱动)。VS=12.8V(S 极)。
难道电路哪里模仿错了?
答 3: 更正。 VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是0V
应为
VB 为何没对 VS 泵到 23V。 却是 13。5V
答 4: DING 答 5: 解决了,OK!找到问题了!
又学了一点东西!
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