共2条
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问
答 1:
怕什么，达灵顿管就是用来发热的只是设计时计算好了散耗功率，别热死就行。实在不行用MOS
答 2:
reheat是一個發熱体. 规格: DC12V. 18W.
達林頓管Q6導通后量的開關壓降0.7-0.8V. 應該很正常吧.發現用了5分鐘后就熱的厲害. Q6是那种很大的貼片封裝D-PAK.規格上寫的是20W. Q5是推動管.p14是接到MCU的一個端口.控制Q5.Q6導通發熱.
答 3: THKS!12864: 请问能否推荐一个可以控制DC 12V. 18W的發熱体的MOS管? MOS管的發熱量是否會少很多? 謝謝﹗ 答 4: 试下IRFZ44，不会热的 答 5: 有沒有小貼片封裝的. 体積也比較重要。 答 6: 对，用MOS管会好些。对，用MOS管会好些。 答 7: 有小贴片的 答 8: 如果只是做开关控制，建议用MOSFET管，达灵顿管不合适看看达灵顿管的内部结构就知道，其总压降相当于前级三极管的VCE加上后级三极管的VBE，饱和时VCE可以很小，VBE却无法减小，所以总压降至少也有0.7V左右
既然你这个电路已经有前级放大了，也不必用达林顿管了，选个hFE高些的非达林顿管就可以了
当然MOSFET最合适
答 9: 各位是否還有好的推荐型號?IRFZ44我查了下.只有大的插机的.規格書上沒有貼片的.各位是否還有好的推荐型號? 答 10: vishay.com, fairchildsemi.com, onsemi.com... 答 11: VISHAY:SUD50N03；IR:IRF7811；FAIRCHILD:ISL9N308……太多了，自己找资料看吧
答 1:
怕什么，达灵顿管就是用来发热的只是设计时计算好了散耗功率，别热死就行。实在不行用MOS
答 2:
reheat是一個發熱体. 规格: DC12V. 18W. 達林頓管Q6導通后量的開關壓降0.7-0.8V. 應該很正常吧.發現用了5分鐘后就熱的厲害. Q6是那种很大的貼片封裝D-PAK.規格上寫的是20W. Q5是推動管.p14是接到MCU的一個端口.控制Q5.Q6導通發熱.
答 3: THKS!12864: 请问能否推荐一个可以控制DC 12V. 18W的發熱体的MOS管? MOS管的發熱量是否會少很多? 謝謝﹗ 答 4: 试下IRFZ44，不会热的 答 5: 有沒有小貼片封裝的. 体積也比較重要。 答 6: 对，用MOS管会好些。对，用MOS管会好些。 答 7: 有小贴片的 答 8: 如果只是做开关控制，建议用MOSFET管，达灵顿管不合适看看达灵顿管的内部结构就知道，其总压降相当于前级三极管的VCE加上后级三极管的VBE，饱和时VCE可以很小，VBE却无法减小，所以总压降至少也有0.7V左右
既然你这个电路已经有前级放大了，也不必用达林顿管了，选个hFE高些的非达林顿管就可以了
当然MOSFET最合适
答 9: 各位是否還有好的推荐型號?IRFZ44我查了下.只有大的插机的.規格書上沒有貼片的.各位是否還有好的推荐型號? 答 10: vishay.com, fairchildsemi.com, onsemi.com... 答 11: VISHAY:SUD50N03；IR:IRF7811；FAIRCHILD:ISL9N308……太多了，自己找资料看吧
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