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问 我该选用什么类型的管子比较好呢 答 1: 前一个图，管子画的是P沟几乎任何P沟MOSFET都可以用，功率不大，耐压也要求不高。
后一个图不知道是什么功能，不敢说。
答 2: 感谢楼上的兄弟！但电路的GDS连接关系我分析不出来假设vin在0到10伏间变化，那么输出的电流也相应变化，图中的那个Q2连接24V的管脚是D还是S？我想用绝缘栅管。VOUT该怎么变化呢？ 答 3: 图中从输出端到运放有反馈这当然必须是负反馈，目的是让输出电流不因电源电压变化或负载变化而变化。
D极与G极关系是反相，而S极与G极关系是同相。从这个相位关系你应该可以分析出这是N沟还是P沟管。

答 4: P沟的当然S接24V既然是恒流源输出的是肯定电流，Vout与负载电阻成正比

下面的电路把功能讲明白一点
（猜：上面PMOS，下面NMOS） 答 5: 感谢各位兄弟，但我分析怎么结果是这样呢　　　首先说下电路功能：上面的电路是一个恒流源，如果输入电压定，那么输出电流不随负载而变化；如果输入电压升高的话，这个电流对于同样的负载却会更大，即保证这样的关系，无论负载怎么变化，IOUT=K*vin，根据楼上兄弟的提示，假设输入电压一定，那么输出电流恒定，负载变大时候，ＶＯＵＴ点的电压根据反馈关系，应该是降低，这样２４Ｖ该接的是Ｓ极．不知道我说的对不．
　　　下面的电路功能：Ｑ７ＧＳ间来一个脉冲（ＣＰＬＤ输出的宽度为２ＵＳ脉冲）那么Ｒ３８与感应线圈的接点上产生一个负的脉冲，二极管起到整形的作用．未知类型的管子应该也是Ｐ沟道的场效应管，ＳＧ始终处于大于导通域值电压，那么下面管子（分析应该是绝缘栅ＮＭＯＳ）在正脉冲来的瞬间导通，使Ｒ３８点的电压瞬间降低．产生了个负脉冲，不导通的时候测试大概是１５Ｖ电压．请大家推荐一下该使用的管子类型，我也不知道我分析的对不，过段时间我把电路板整出来，测试一下看对不． 答 6: 郁闷，所有的图都看不到。 答 7: 看符号看了下mos管的符号，如果不是楼主自己画上去的则可以通过mos管的中间那个箭头来区别。方向的指向是沟道相对于衬底的关系。
“-->”表示由P指向N.
上面的图可以看出，沟道是P的，衬底是N的。
NMOS则相反,是"<--"

R34好象是限流电阻，不知道阻值是多少？
下面的图我看不懂。哪位能解释下？
当Q7关断是，T1下端的电位将升高，看不到电流通路。
难道MMBZ5249是zener管，我对器件不熟悉。:( 答 8: Re假定负载变重，即电阻变小，使输出电流增加，那么IOUT点电位降低->U6B反相端电位降低->U6B输出端电位升高->U6A反相端电位升高->U6A输出端电位降低，Q2必须是P沟，才能够使R31与R34连接点电位升高。
下面的图，看不出来。 答 9: 感谢maychang兄！也感谢SHEEPYANG！    电路是我抄的电路板。上面的管子型号根本查不到。所以图是我自己随便画上的，不是成功电路。R34是100欧姆，小二极管应该是ZENER管，P8Y查不到型号自己随意写了个。T7关断应该是没电路通路吧，我也郁闷，只好自己安慰自己是上面的管子常开，但下面的管子是脉冲来通一下。
   另外电路的反馈上为什么不这样分析呢：假定负载变重，即电阻变小，使输出电流增加，那么IOUT点电位降低->U6B正相端电位降低->U6B输出端电位降低->U6A反相端电位降低->U6A输出端电位升高。
  不过我仔细感受了下，觉得应该是P沟道。 答 10: 如果是P根据相位关系24伏接D 答 11: 我怎么分析Q2是NMOS管首先我们看R31，R32构成的电压反馈回路。
如果R31上端电压增加则R32的电压增加，U6B输出增加，U6A输出减少。如果
是P管，则R31上的电位还是增加啊，不是正反馈了么？

再考虑R34电位的下降，则正由maychang分析的那样。也是使达到降低电流的目的。
(V31/(R34+Rout)

我想混淆的原因是我们还不太清楚反馈的主回路在哪。比较错综复杂。:(
我觉得上面一路反馈是检测电流的，R31,R32才是主要的反馈回路。

不知道对不对。 答 12: MOS管张俊洋：
    上面的电路也许基本的工作原理是对的，对管子工作的点跟本没仔细算过，就不能随意接上去用的，要根据管子的特性，把每一个工作点都算的很准 答 13: 请各位高手根据我补充的图再分析下吧两个未知管子类型是一样的，我把下面的图再发一次，大家帮忙分析下实现这样的功能该是什么管子，定量分析对我太难了，我很感谢各位，上面的电路的确是两路反馈，我利用线性叠加分析出几个电阻的关系是成比例的，而且阻值1A1很大，K欧姆级的。DS该是怎么连接的呢 答 14: 我的感觉上面的图Q2是NMOS, D接Vdd, S接R34/R31.
下面的图感觉也是两个NMOS.同样是上D下S.
工作原理如下，高电平时Q7,QX都导通，关断后，QX对C26充电，如果D6是zener的话，则C26 +端电位大约比zener高一点。QX可能后面常通。具体要看D6的数值。
如果D6的击穿电压很高，则电容的充电电压将达到12-Vt,所以再来下脉冲，则输出低电平，所以负脉冲的幅度差将约是12-Vt-Vds(on). Vds(on)是下管的，如果Rds(on)很小，则约为12-Vt.如果D6是zener,则幅度差约Vdz(当然Vdz<12-Vt). 答 15: 怪了，不让我做修改了是不是说我恶意灌水啊。
我的描述有点补充。
“关断后，QX对C26充电”应该是
  低电平后，Q7关断，QX对C26充电。

如果D6的击穿电压比较高的话，则C26充电至12-Vt后，QX也会关断。
答 16: 太感谢你了SHEEPYANG   你分析得太好了，很感谢你，也深深地佩服你的水平和耐心！感谢。
结合我自己的测试，你分析得让我太信服了！我本来可以多测试下的，后来这些管子不小心烧坏了，没敢加电，只好分析下电路了。以后做下板子测试下。谢谢各位。现在唯一迷惑的是恒流源输出的场效应管怎么工作呢。能把你分析是NMOS管的详细分析说下吗？谢谢 答 17: 可以这样分析先看下面R31/R32组成的反馈网络，
当R31上端的电位增加时，R32上端的电位也同时增加，所以U6B输出增加，U6A输出减少。
同时看R34/R35，当R31上端的电位增加时,则是使U6A输出增加的。
两者好象有抵销作用，但谁作主导作用还不好说,要作公式分析了。


如果输出负载电流增大，则Iout端的电位下降，则造成U6A输出下降。
如果输出管是PMOS,S接24V,D接下端（如果MOS是对称的，也应该这样叫，
因为PMOS只有 Vgs<Vt才能导通,不然称下端为S则闹笑话了)

很显然，，U6A的下降，Vgs变得更负了，会造成R31上端的电位增加，所以输出的电流会更大，前面讲了，R31/R2在R31上端增加时Vout也是下降的，这样好了，电流越来越大.因为输出电流等于R31上的电位除以(R34+Rout).这样会形成个正反馈回路.
因此我认为这种情况不可能，如果是NMOS, D接24V.
这样U6A电压的下降将导致R31上的电位下降(有点象射极跟随了).
这样才能比较稳定的工作。

有空你搭电路试试看。我不是搞系统的，所以没有机会试这个。 答 18: 谢谢你！ＳＨＥＥＰＹＡＮＧ，我会测试的按你说的．