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SCR,CMOS 寄生SCR效应(CMOS锁定效应)的原理????
问
寄生SCR效应一般称为锁定效应,这是CMOS电路的特殊现象,是在使用是工作电压,电流超过最大极限是所发生的。一旦进入锁定状态,将使电路失效遭受严重损坏。
请教大侠们:锁定效应是怎样产生的呢??(原理,过程)从微观,和宏观方面讲!!谢谢! 答 1: 这是由于老工艺采用PN结隔离造成的,新工艺采用介质隔离,已经没有这个问题了 答 2: 长话短说闩锁的问题恐怕不是一两句话能说清楚的。简单来说,是由于CMOS集成电路中存在寄生的PNPN结构造成的。(以N阱工艺为例,由PSD-NWELL-PSUB-NSD形成了寄生的PNP管和寄生NPN管组成的PNPN结构)。
有一本专门讨论闩锁问题的书,不太厚,可以看看。 答 3: 基本概念如图所示.
可以看到,如果流过PNP管的电流大,
则NPN的Vbe变大,反过来一样.
这样是个电流正反馈电路了.
所以流过寄生管的电流会越来越的,
从而烧坏器件.
改善的方法是降低寄生管的放大倍数.
降低寄生电阻的数值.
有多种工艺方法来防止latchup 答 4: 谢谢
请教大侠们:锁定效应是怎样产生的呢??(原理,过程)从微观,和宏观方面讲!!谢谢! 答 1: 这是由于老工艺采用PN结隔离造成的,新工艺采用介质隔离,已经没有这个问题了 答 2: 长话短说闩锁的问题恐怕不是一两句话能说清楚的。简单来说,是由于CMOS集成电路中存在寄生的PNPN结构造成的。(以N阱工艺为例,由PSD-NWELL-PSUB-NSD形成了寄生的PNP管和寄生NPN管组成的PNPN结构)。
有一本专门讨论闩锁问题的书,不太厚,可以看看。 答 3: 基本概念如图所示.
可以看到,如果流过PNP管的电流大,
则NPN的Vbe变大,反过来一样.
这样是个电流正反馈电路了.
所以流过寄生管的电流会越来越的,
从而烧坏器件.
改善的方法是降低寄生管的放大倍数.
降低寄生电阻的数值.
有多种工艺方法来防止latchup 答 4: 谢谢
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