纯讨论——到底FRAM可不可以替代EEPROM?

FRAM即铁电存储器,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,其的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在如EEPROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。
到底FRAM可不可以替代EEPROM?
我认为不是绝对的,只有在部分条件下,才可以完全替代,但是在发展一段时间,谁知道呢?!在应用方面,包括智能电表和其它测量设备、工业机械以及医疗设备(如助听器),所有的这些设备都需要带串口的1-2 Mbit 非易失存储器,现在我们可以使用富士通半导体的新型FRAM产品取代传统的EEPROM。因为,在快速写入方面的改善可以使性能更高,同时可使由于电压突然下降或者停电引起的数据丢失风险降至最低。针对写入时所消耗的电量, FRAM比EEPROM少消耗92%的电量,可以延长电池寿命。
看以后技术的发展了。

6楼
FRAM还是很有技术优势的,只是目前还没有价格优势,如果FRAM的价格能够做得比较低的话,替代EEPROM指日可待啊

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