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FRAM即铁电存储器，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，其的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如EEPROM的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

到底FRAM可不可以替代EEPROM？

我认为不是绝对的，只有在部分条件下，才可以完全替代，但是在发展一段时间，谁知道呢？！在应用方面，包括智能电表和其它测量设备、工业机械以及医疗设备（如助听器），所有的这些设备都需要带串口的1-2 Mbit 非易失存储器，现在我们可以使用富士通半导体的新型FRAM产品取代传统的EEPROM。因为，在快速写入方面的改善可以使性能更高，同时可使由于电压突然下降或者停电引起的数据丢失风险降至最低。针对写入时所消耗的电量， FRAM比EEPROM少消耗92%的电量，可以延长电池寿命。

看以后技术的发展了。

这个成本有优势么？各自划分一片使用领域更有可能。

DDR，DDR2，DDR3，DDR4现在市面上都在用，DDR都出来这么多年了也没有比完全替代

嘿嘿 我个人觉得铁电有取代EEPROM的趋势。

可能现在就是在小容量的芯片上Eprom还有市场吧！

去比比价格就知道了，

FRAM性能比EEPROM好的地方在于1.寿命 2.功耗 3.读写速度

在大部分采用掉电存储的场合对这三点要求并不高~

当然，什么时候铁电跟EEPROM价格一样了，

傻子才不用