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不好说吧，目前来看只有在有些高端应用才可以完全替代，不过但是再发展一段时间以后，随着FRAM成本进一步降低，也没准儿呢？！

在应用方面，包括智能电表和其它测量设备、工业机械以及医疗设备（如助听器），所有的这些设备都需要带串口的1-2 Mbit 非易失存储器， FRAM正在取代传统的EEPROM。因为，在快速写入方面的改善可以使性能更高，同时可使由于电压突然下降或者停电引起的数据丢失风险降至最低。针对写入时所消耗的电量， FRAM比EEPROM少消耗92%的电量，可以延长电池寿命。

传张Speaker的FRAM vs EEPROM对比图   可以看到一些趋势，大家可以自己比较下

替代是迟早的事，目前的系统设计功耗已经是很关键的因素，以富士通半导体新推的1 Mb和2Mb存储器MB85RS1MT 和 MB85RS2MT为例，与容量相同的EEPROM相比，这两款产品写入时可减少92%的功耗。另外，由于新款FRAM可以把所有系统存储器器件（主要包括EEPROM、SRAM和用于保持数据的电池）所需的技术集成到单一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板面积和功耗。这有助于开发小型和节能设备，使维护更加简易，不再需要备用电池。

要讨论这个问题，先科普一下吧——FRAM一般可按接口类型分为三类：串行I2C接口、串行SPI和并行接口产品。采用串行接口的FRAM替代E2PROM或串行闪存，而采用并行接口的FRAM产品可以代替低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)。不过从容量来看，未来真难说这种趋势会否成真——富士通公司的FRAM已经可以覆盖从4Kb到4Mb的容量，据说已在计划研发8Mb产品，并逐步实现大容量化。