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这些数字表示制作半导体或芯片的技术节点，也称作工艺节点。实际物理意义有“半节距”、“物理栅长”、“制程线宽”等。半导体业界通常使用“半节距”、“物理栅长（ MOS管栅极的长度）”和“结深”等参数来描述芯片的集成度，这些参数越小，芯片的集成度越高。举个例子，某种芯片采用 90nm工艺，其中半节距为 90nm，而晶体管的物理栅长为 37nm。半节距，是指芯片内部互联线间距离的一半， 也即光刻间距的一半。由于历年来每一个新的技术节点总是用于制造 DRAM芯片， 因此最新的技术节点往往是指 DRAM的半节距。另外， 在技术文章中还有两种与“半节距”意义相近的表达方式，就是“线宽”、“线距”和“特征尺寸”，如果线宽等于线距，则半节距就等于线宽、线距，它们不过是对同一个数据的不同表达。