这些数字表示制作半导体或芯片的技术节点,也称作工艺节点。实际物理意义有“半节距”、“物理栅长”、“制程线宽”等。半导体业界通常使用“半节距”、“物理栅长( MOS管栅极的长度)”和“结深”等参数来描述芯片的集成度,这些参数越小,芯片的集成度越高。举个例子,某种芯片采用 90nm工艺,其中半节距为 90nm,而晶体管的物理栅长为 37nm。半节距,是指芯片内部互联线间距离的一半, 也即光刻间距的一半。由于历年来每一个新的技术节点总是用于制造 DRAM芯片, 因此最新的技术节点往往是指 DRAM的半节距。另外, 在技术文章中还有两种与“半节距”意义相近的表达方式,就是“线宽”、“线距”和“特征尺寸”,如果线宽等于线距,则半节距就等于线宽、线距,它们不过是对同一个数据的不同表达。
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