台积电(TSMC)日前表示，该公司以90纳米Nexsys工艺技术为多家客户量产芯片，并将于2005年大幅增加产能，以满足客户对此先进工艺技术的需求。台积电据称是全球唯一同时提供全铜、低介电系数(Low-k technology)以及12英寸晶圆90纳米工艺技术的晶圆代工厂商。 台积电90纳米工艺产品出货给多家客户，如Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合器件制造商(IDM)。台积电表示，在2004年第四季中每月的90纳米12英寸晶圆出货量已达数千片，2005年的单月出货量预计将大幅增加。 台积电于2004年第三季开始以90纳米工艺为客户量产芯片，在此之前，已为多家客户进行试产，并且第一次产出就成功通过功能验证。总计今年共有约40个客户以单一产品光罩(single-product mask)试产，另有30个以上的产品以分享光罩(mask-sharing Cybershuttle)的方式验证。这当中约有10个产品已经正式进入量产，其它的产品则分别在品质验证或设计验证等阶段。 台积电行销副总经理胡正大表示，客户对90纳米工艺的需求在2005年将快速成长，并涵盖了消费、通讯、计算机以及其它各种应用范围。其中通讯应用在未来几季中的成长将明显高于其它应用类型。为满足客户强劲的需求，台积电已经积极在扩充fab12厂的产能，同时也计划加速fab14厂90纳米工艺技术的量产。 胡正大同时表示，台积电的90纳米工艺不但为客户提供密度更高、体积更小的芯片，同时又具备了更高效能、更低耗电以及以12英寸晶圆生产的低成本等竞争优势。此外，台积电所提供的“量产化设计”(Design for Manufacturing)能够协助客户缩短从产品设计到量产所需要的时间。 Altera公司技术副总经理Francois Gregoire表示：“在2004年底之前，Altera公司使用此工艺生产的高带宽Stratix II FPGA系列共六项产品都将通过产品验证。二家公司的设计以及工艺团队，通过紧密的合作共同解决包含设计与工艺整合、低介电质材料、耗能管理以及性能最佳化等关键问题。尤其令我们欣慰的是，使用最新90纳米工艺技术生产Stratix II系列产品，在缩小产品面积、提升产品性能以及良率的表现，都比上一代0.13微米工艺技术要好。” 据介绍，以同样的环状振荡电路器为例，台积电的90纳米工艺与0.13微米工艺相比，不但芯片面积约可缩小2倍，并且可以提升芯片运算速度35%、节省耗电量60%、缩短电阻-电容延迟时间(RC delay time)20%。