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写STC单片机FLASH的最好办法

问
STC单片机里FLASH很大,用起来太爽了!
往某个扇区中写数据,需要经历以下过程:
扇区原有数据读出缓冲->扇区全擦除->数据更新重新写入
包括STC提供的手册里也没有很好解决的一个问题是:扇区原有内容读出缓冲,在哪儿缓冲?因为一个扇区有512个字节啊!没有那么多的RAM呀!
手册里的办法是,每个扇区只用其中的一部分容量,呵呵,可惜了啊!
我告诉大家一个好办法:
找一个不用的扇区做缓冲区就一切全解决了.假定要往X号扇区写数据,用Y号扇区做缓冲区,过程如下:
1.擦除Y
2.一个字节一个字节地从X里读,往Y里写,需要修改的数据修改了再写
3.擦除X
4.一个字节一个字节地从Y里读,往X里写
5.第三步和第四步甚至可以省略,重新定位数据区地址到Y就是了
注意,根本就没有使用RAM,毕竟RAM好珍贵啊!而FLASH容量一般都很宽裕的,只用一个扇区就行了.
答 1: 这是时间换空间呵呵. 答 2: 通常要写FLASH的时候对速度要求并不快,这种方法应该是可以的.通常要写FLASH的时候对速度要求并不快,这种方法应该是可以的. 答 3: 支持 xhtxzxw 网友的建议支持 xhtxzxw 网友的建议
手册里的办法是,每个扇区只用其中的一部分容量,呵呵,可惜了啊!
----是同一次修改的数据放在同一个扇区,就是真正的EEPROM
--------创造历史啊
----还有一个程序,用SRAM做缓冲,在 WWW.MCU-MEMORY.COM
--------浪费资源
STC89C51RC/RD+系列内部 EEPROM 放数据(C语言)
WWW.MCU-MEMORY.COM 答 4: 如果清除扇区时单片机掉电,原来不想改的内容也清零了可靠性不好,如果清除扇区时单片机掉电怎么办?原来不想改的内容也清零了。 答 5: 只好用外部掉电检测电路只好用外部掉电检测电路
往某个扇区中写数据,需要经历以下过程:
扇区原有数据读出缓冲->扇区全擦除->数据更新重新写入
包括STC提供的手册里也没有很好解决的一个问题是:扇区原有内容读出缓冲,在哪儿缓冲?因为一个扇区有512个字节啊!没有那么多的RAM呀!
手册里的办法是,每个扇区只用其中的一部分容量,呵呵,可惜了啊!
我告诉大家一个好办法:
找一个不用的扇区做缓冲区就一切全解决了.假定要往X号扇区写数据,用Y号扇区做缓冲区,过程如下:
1.擦除Y
2.一个字节一个字节地从X里读,往Y里写,需要修改的数据修改了再写
3.擦除X
4.一个字节一个字节地从Y里读,往X里写
5.第三步和第四步甚至可以省略,重新定位数据区地址到Y就是了
注意,根本就没有使用RAM,毕竟RAM好珍贵啊!而FLASH容量一般都很宽裕的,只用一个扇区就行了.
答 1: 这是时间换空间呵呵. 答 2: 通常要写FLASH的时候对速度要求并不快,这种方法应该是可以的.通常要写FLASH的时候对速度要求并不快,这种方法应该是可以的. 答 3: 支持 xhtxzxw 网友的建议支持 xhtxzxw 网友的建议
手册里的办法是,每个扇区只用其中的一部分容量,呵呵,可惜了啊!
----是同一次修改的数据放在同一个扇区,就是真正的EEPROM
--------创造历史啊
----还有一个程序,用SRAM做缓冲,在 WWW.MCU-MEMORY.COM
--------浪费资源
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WWW.MCU-MEMORY.COM 答 4: 如果清除扇区时单片机掉电,原来不想改的内容也清零了可靠性不好,如果清除扇区时单片机掉电怎么办?原来不想改的内容也清零了。 答 5: 只好用外部掉电检测电路只好用外部掉电检测电路
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