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问 ＳＴＣ单片机里ＦＬＡＳＨ很大，用起来太爽了！
往某个扇区中写数据，需要经历以下过程：
扇区原有数据读出缓冲－>扇区全擦除－>数据更新重新写入
包括ＳＴＣ提供的手册里也没有很好解决的一个问题是：扇区原有内容读出缓冲，在哪儿缓冲？因为一个扇区有５１２个字节啊！没有那么多的ＲＡＭ呀！
手册里的办法是，每个扇区只用其中的一部分容量，呵呵，可惜了啊！
我告诉大家一个好办法：
找一个不用的扇区做缓冲区就一切全解决了．假定要往Ｘ号扇区写数据，用Ｙ号扇区做缓冲区，过程如下：
１．擦除Ｙ
２．一个字节一个字节地从Ｘ里读，往Ｙ里写，需要修改的数据修改了再写
３．擦除Ｘ
４．一个字节一个字节地从Ｙ里读，往Ｘ里写
５．第三步和第四步甚至可以省略，重新定位数据区地址到Ｙ就是了
注意，根本就没有使用ＲＡＭ，毕竟ＲＡＭ好珍贵啊！而ＦＬＡＳＨ容量一般都很宽裕的，只用一个扇区就行了．

答 1: 这是时间换空间呵呵. 答 2: 通常要写FLASH的时候对速度要求并不快,这种方法应该是可以的.通常要写FLASH的时候对速度要求并不快,这种方法应该是可以的. 答 3: 支持 xhtxzxw 网友的建议支持 xhtxzxw 网友的建议

手册里的办法是，每个扇区只用其中的一部分容量，呵呵，可惜了啊！
----是同一次修改的数据放在同一个扇区，就是真正的EEPROM
--------创造历史啊
----还有一个程序，用SRAM做缓冲，在 WWW.MCU-MEMORY.COM
--------浪费资源

STC89C51RC/RD+系列内部 EEPROM 放数据(C语言)

WWW.MCU-MEMORY.COM  答 4: 如果清除扇区时单片机掉电，原来不想改的内容也清零了可靠性不好，如果清除扇区时单片机掉电怎么办？原来不想改的内容也清零了。 答 5: 只好用外部掉电检测电路只好用外部掉电检测电路

学习一下

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