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网上看到一篇帖子，介绍内存技术，特别是DDR与DDR2的原理、区别等，觉得写得很好，转载于此！

1.DDR、DDRⅡ技术

    DDR技术

    DDR SDRAM是双倍数据速率（Double Data Rate）SDRAM的缩写。从名称上可以看出，这种内存在技术上，与SDRAM有着密不可分的关系。事实上，DDR内存就是SDRAM内存的加强版。DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，理论上使用原来的工作的频率可以产生2倍的带宽。同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为133MHZ DDR="266MHZ" SDR。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。但是DDR存在自身的局限性—DDR只是在SDRAM基础上作简单改良，并行技术与生俱来的易受干扰特性并没有得到丝毫改善，尤其随着工作频率的提高和数据传输速度加快，总线间的信号干扰将造成系统不稳定的灾难性后果；反过来，信号干扰也制约着内存频率的提升——当发展到DDR400规范时，芯片核心的工作频率达到200MHz，这个数字已经非常接近DDR的速度极限，只有那些品质优秀的颗粒才能够稳定工作于200MHz之上，所以DDRⅡ标准就成了一种进一步提高内存速度的解决方法。

    DDR Ⅱ技术

    DDRⅡ相对于DDR有三大技术革新，4位预取（DDR是2位）、Posted CAS、整合终结器（ODT）、FBGA/CSP封装。要解释预取的概念，我们必须从内存的频率说起。大家通常说的“内存频率”其实是一个笼统的说法，内存频率实际上应细分为数据频率、时钟频率和DRAM核心频率三种。数据频率指的是内存模组与系统交换数据的频率；时钟频率则是指内存与系统协调一致的频率；而DRAM核心频率指的是DRAM内部组件的工作频率，它只与内存自身有关而不受任何外部因素影响。对SDRAM来说，这三者在数字上是完全等同的，也就是数据频率=时钟频率=核心频率；而DDR技术却不是如此，它要在一个时钟周期内传输两次数据，数据频率就等于时钟频率的两倍，但核心频率还是与时钟频率相等。由于数据传输频率翻倍（传输的数据量也翻倍），而内部核心的频率并没有改变，这意味着DDR芯片核心必须在一个周期中供给双倍的数据量才行，实现这一任务的就是所谓的两位预取（2bit Prefect）技术；DDRⅡ采用的4位预取。这项技术的原理是将DRAM存储矩阵的位宽增加一（两）倍，这样在一个时钟周期内就可以传输双（四）倍的数据，这些数据接着被转化为宽度为1/2（1／4）的两道数据流、分别从每个时钟周期的上升沿和下降沿传送出去。Posted CAS：DDRⅡ通过引入“Posted CAS”功能来解决带宽利用变低的问题，所谓Posted CAS，指的是将CAS（读/写命令）提前几个周期、直接插到RAS信号后面的一个时钟周期，这样CAS命令可以在随后的几个周期内都能保持有效，但读/写操作并没有因此提前、总的延迟时间没有改变。这样做的好处在于可以彻底避免信号冲突、提高内存使用效率，但它只有在读写极其频繁的环境下得到体现，若是普通应用，Posted CAS功能反而会增加读取延迟、令系统性能下降，因此我们可以根据需要、通过BIOS将Posted CAS功能开启或关闭（关闭状态下DDRⅡ的工作模式就与DDR完全相同）。  芯片整合终结器，提高了内存工作的稳定性，增强的内存的兼容性。FBGA封装和CSP封装，封装虽然无法直接决定内存的性能，但它对内存的稳定工作至关重要。 FBGA封装是DDRⅡ的官方选择，FBGA属于BGA体系（Ball Grid Array，球栅阵列封装），前面已经讲过了。CSP封装最大的特点在于封装面积与芯片面积异常接近，两者比值仅有1.14：1，它也是目前最接近1：1理想状况的芯片封装技术。这样在同样一条模组中就可以容纳下更多数量的内存芯片，有利于提升模组的总容量。

    2.双通道内存控制器技术

    所谓双通道DDR，简单来说，就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据。这两个相互独立工作的内存通道是依附于两个独立并行工作的，位宽为64-bit的内存控制器下，因此使普通的DDR内存可以达到128-bit的位宽，如果是DDR333的话，双通道技术可以使其达到DDR667的效果，内存带宽陡增一倍。双通道DDR有两个64bit内存控制器，双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。例如，当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器 A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%，双通道技术使内存的带宽翻了一翻。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用三条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的密度来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。双通道DDR技术带来的性能提升是明显的，DDR266能够提供2.1GB/s的带宽，而双通道DDR266则能提供4.2GB/s的带宽。以此类推，双通道DDR333和DDR400能够达到5.4GB/s和6.4GB/s。

    3.CPU集成内存控制器技术

    这是AMD公司提高CPU与内存性能的一项技术，这项技术是一种将北桥的内存控制器集成到CPU的一种技术，这种技术的使用使得原来，CPU－北桥－内存三方传输数据的过程直接简化成CPU与内存之间的单项传输技术，并且降低了它的延迟潜伏期，提高了内存工作效率。这么做得的目的是为了解放系统的北桥，众所周知，显卡也是通过北桥向CPU传输数据的，虽然说早在GeForce256时代就有了GPU的说法，但是随着现在游戏的进步，画面的华丽，不少数据还是需要CPU来做辅助处理的。这些数据传输到CPU必然要经过系统的北桥，由于AMD64系统将内存控制集成到主般中来了，所以压力减小的北桥便可以更好地为显卡服务。另外，缺少了中间环节，内存和CPU之间的数据交换显得更为流畅。但是这项技术也有缺点，当新的内存技术出现时，必须要更换CPU才能支持。这在无形间增加了成本。

    4.其他技术

    A.ECC内存

    全称Error Checkingand Correcting。它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据，则需1位用于Parity检验，5位用于ECC，这额外的5位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同(都为。在那些Parity只能检测到错误的地方，ECC可以纠正绝大多数错误。若工作正常时，你不会发觉你的数据出过错，只有经过内存的纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，ECC内存的价格比普通内存要昂贵许多。

    B.（Un）Buffered Memory 内存

    （Un）Buffered Memory，（不）带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。