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ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥其性能的控制元器件的开发。

工业设备辅助电源的课题是减少发热

在变频器等高电压工业设备，不仅具备驱动电机等的主电源，还同时具备控制器和其他系统驱动用的辅助电源。尤其是在工业设备中使用时，输入电压高，辅助电源中广泛使用耐压1000V以上的Si-MOSFET。

然而，超过1000V的高耐压Si-MOSFET的导通电阻大，必须处理导通损耗带来的发热问题。

SCT2H12NZ就是为解决这类工业设备辅助电源的课题而开发的。

导通电阻降低到Si-MOSFET的1/8

这是与工业设备辅助电源中广泛使用的1500V耐压Si-MOSFET的比较例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐压更高，达1700V，导通电阻仅为Si-MOSFET（9Ω）的1/8（1.15Ω）。由此，可大幅降低损耗、即可大幅减少发热，有些条件下还可实现散热器的小型化。

此外，封装采用TO-3PFM，可确保工业设备要求的绝缘相应的爬电距离。同样确保所需爬电距离的表面贴装型TO-268-2L封装产品也正在开发中。通过采用表面贴装型封装，可使用自动安装设备进行组装。

以下是此次开发的产品阵容。

1700V SiC-MOSFET产品阵容