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利用场管内部的寄生二极管的单向导通特性对场管的好坏进行判断。

这样做的目的对场管内部的寄生电容进行放电，防止有压差，使它内部产生导通，使得测量有误。

万用表打到二极管档，然后用两个表笔对这个 MOS 管的漏极和源极进行正反向测量。

用万用表测量内部二极管，正向测量时应该有一个零点几伏的压降，反向应该截止，不符合的话，说明管子坏了。

对于 N 沟道场管：

对于 P 沟道场管：

一个好的 MOSFET 正向测量时内部二极管应该有 0.4V 至 0.9V 的压降（取决于MOSFET类型），如果压降为零，则 MOSFET 有缺陷，当读数为“开路”或无读数时，MOSFET也有缺陷。

当反向测量场管内部二极管时，压降应为“开路”或无读数。如果压降为零，则MOSFET有缺陷。

下图显示正向 N 沟道管源漏极之间的二极管有 0.52V 的压降：

反向测量内部二极管开路：

下图显示一个损坏的 N 沟道场管反向测量内部二极管有 0.404V 的压降：

还是二极管档，场管一共三个引脚，两两测量一共有六种组合。一个好的场管除了正向测量漏源极之间的二极管为有压降，其他任何引脚之间都不应该有压降。