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注意图中两只（再加上辅助绕组就是三只）二极管电路结构完全一样，都是DCR输出结构，其特性对电路的影响也完全一样，由此提出对Dsn的选用：
1、耐压一定要大于MOS耐压，常见错误是600V二极管配650VMOS
2、与副边一样，这个二极管的反向恢复对应的是效率，因电压显著较高而影响显著更大。要尽量快，能35nS就不要50nS，相同系列二极管1A比2A快，低耐压比高耐压快，必要时宁可低压小电流串联。最佳选择是0.5A塑封碳化硅二极管（有吗？）。
3、平均电流很小（mA数量级），峰值电流虽然显著更大，但相比二极管峰值电流耐量（典型值1A:30A）也绰绰有余，因此电流按最小选型即可
4、封装主要考虑焊盘爬电间距和敷铜散热
5、串电阻是必要的，视为尖峰电压谐振波形的阻尼，以至少不提高尖峰电压取大值。
6、冲击电流不要刻意去限制，你这里限制了它，它会以其它更不能接受的形式表现出来，你要做的是减少冲击电流的影响，也就是其电流回路包围面积最小化。