一、AD8410AWBRZ芯片开箱

AD8410AWBRZ专用电流检测放大器，高带宽、高共模抑制比的，支持高压采样，可广泛应用于电机电流采集等工控场景。下面是从得捷采购的芯片和嘉立创打样的PCB。

二、Demo板设计实现

由于官方 Eval 板成本过高，基于AD8410A官方评估板原理图，自主完成Demo板电路移植、PCB布局设计，并通过立创平台完成打板与实物焊接工作。Eval原理图如下；

移植后Demo板原理图如下：

PCBLayout 如下：

立创打板，实物焊接完成：

整套自研硬件方案可满足后续电流采样性能验证、两种采样方式对比测试的全部实验需求，为后续实测验证搭建了可靠的硬件基础。

三、两种电流采样方案原理与过程分析

3.1 采样电路核心原理

AD8410A 相电流采样原理：通过外置采样电阻 / PCB 铜皮把相电流转为差分电压，经 AD8410A 放大并叠加内部 1.65V 偏置，实现双向电流检测，信号经 RC 滤波送入 MCU‑ADC，适配 H 桥有刷电机。

下桥 MOS 内阻采样原理：无需功率采样电阻，利用两路 TP2582‑VR，复用下桥 MOS 的(R_{ds(on)})，将 MOS 导通压降经运放放大、叠加偏置，二极管做输入保护；仅下桥 MOS 导通时有效，只能检测单向电流。

3.2 采样工作过程

有刷电机H桥由PWM信号驱动，电机为感性负载，电流无法突变，工作过程中电流波形始终呈现周期性三角波变化。

AD8410A相电流采样全程适配H桥工作状态：电机正向运行时，电流区间为-50A至+50A；反向运行时，电流区间为+50A至-50A。通过检流电阻将电流信号精准转换为电压信号，供MCU实时采集，全程不受PWM开关状态限制。

下桥MOS内阻采样具有严格的时序局限性：电机正向输出时，下桥G7持续导通，M2_M采样信号有效；反向输出时，下桥G6持续导通，M1_M采样信号有效；电机制动工况下，M1_M与M2_M信号同时有效且相位相反。仅下桥MOS导通窗口期可完成采样，上管导通阶段无有效采样信号。

3.3 两种采样方案核心参数对比

对比项AD8410A相电流采样下桥MOS内阻采样（TP2582-VR）

四、实物实测波形验证

本次测试以 24V/90A 搬运车有刷电机控制器为平台（原厂为下桥 MOS 内阻采样），把 AD8410AWBRZ 自研 Demo 板采样电阻串入电机相线；示波器同步采集 AD8410A、下桥 MOS 内阻采样输出，配合电流探头获取真实相电流，设置 60A 触发，完成电机正、反向工况下的波形对比测试

4.1电气接线图

4.2环境搭建

按照电气接线图进行实物测试环境搭建，然后进行测试和相电流波形采样对比；示波器设置60A触发；

4.3 试验波形收集

相电流由M1流向M2时,红色波形是电流钳直接采集到的相电流；蓝色波形是下桥 MOS 内阻采样输出M2_M；紫色是AD8410A相电流采样输出；

展开图如下：电流探头采集的真实相电流为标准三角波；下桥MOS内阻采样波形存在明显开关干扰噪声，波形畸变严重；AD8410A采样波形经RC滤波后平滑规整，与真实电流变化趋势高度契合，信号质量优异。整体电流趋势与分析一致。

相电流由M2流向M1时,红色波形是电流钳直接采集到的相电流；蓝色波形是下桥 MOS 内阻采样输出M2_M；紫色是AD8410A相电流采样输出；

展开图如下：下桥MOS内阻采样信号呈现续流方波形态，无法还原真实电流的三角波变化规律；而AD8410A采样波形依旧能够精准跟随相电流动态变化，双向工况下采样稳定性、真实性均优于MOS内阻采样方案。

#五、综上总结

本文从原理、硬件、实测三方面对比了 AD8410A 相电流采样与下桥 MOS 内阻采样。

AD8410A 采用专用电流检测芯片，电路简单，支持 PWM 全周期双向电流采样，内置降噪去毛刺，不受温度漂移影响，波形还原度高，可覆盖电机正转、反转、制动全部工况，采样精度与稳定性优异。

下桥 MOS 内阻采样复用 MOS 管\(R_{ds(on)}\)，省去功率采样电阻，物料成本更低；但只能采集单向电流，采样窗口受限，抗干扰差，受 MOS 管温度漂移影响，波形噪声大、易畸变，不适合高精度控制。

二者适用场景区分清晰：对成本敏感、性能要求不高的简易电机项目，可采用 MOS 内阻采样；工业场合追求高精度、全工况可靠采样时，优先选用 AD8410A 方案。