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英飞凌兑现推迟三年的10亿美元投资,扩大DRAM产能
德国芯片制造商英飞凌(Infineon)公司最近表示,将兑现其弗吉尼亚州Richmond晶圆厂10亿美元的扩张项目,在延期三年后,Infineon Technologies Richmond LP将于2005年初采用300nm晶圆生产DRAM芯片。
英飞凌的首席运营官Andreas von Zitzewitz说,客户对于逻辑芯片和内存芯片的需求都在上升;扩大Richmond工厂的DRAM芯片生产能力,将加速其在德国Dresden的200-mm工厂从内存芯片向逻辑芯片的转换过程。
据介绍,Richmond晶圆厂初步的扩张完成后,将采用300mm晶圆,月产能将达到25,000片,英飞凌将视市场状况决定是否进一步扩充另外的产能。Richmond晶圆厂开始将采用110nm工艺,不久将迅速转移至90nm。
同时,英飞凌将继续在Richmond采用200-mm晶圆满负荷生产,Richmond晶圆厂初步的扩张后,DRAM产能将提升到原来的2倍。
Infineon Technologies Richmond工厂于1996年成立,在1998年8月开始生产内存芯片,300mm工厂的新建始于2000年,但完工日期因为整个经济不景气而延迟。
关键词: 英飞 兑现 推迟 年的 亿美元 投资 扩大 产能
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