EEPW论坛

英飞凌科技股份公司近日宣布推出一款先进的硬盘驱动器读取信道内核，这是第一种采用该公司90纳米工艺生产的集成电路。该产品由英飞凌和日立环球存储技术有限公司共同开发，是适用于下一代硬盘驱动器的高集成控制器芯片开发过程中的一个里程碑。 “第一种采用90纳米工艺技术的读取信道内核产品的开发，使英飞凌可以更好地推出下一代集成电路产品，以满足硬盘驱动器市场不断增长的需求，”英飞凌管理董事会成员兼汽车与工业电子事业部负责人Peter Bauer指出，“我们对市场的承诺和立足点基于广泛的专利组合（IP Portfolio），我们的专利组合包括低能耗和先进的片上系统（SOC）设计技术，以及对硬盘驱动器行业日益重要的技术，例如非易失性存储器和安全芯片卡解决方案等等。” 英飞凌副总裁兼专用集成电路和设计解决方案事业部（ADS）总经理Sandro Cerato说：“采用90纳米工艺制造读取信道内核，使硬盘驱动器行业能够满足下一代产品要求，包括更高的数据率、更低的能耗和更小的晶片面积，从而能够以更具竞争力的成本推出更高级的片上系统（SOC）解决方案。首例经过测试的内核芯片，锁相环路(PLL)能够达到3.6GHz的速度，而模拟前端信号通道可以实现高达2.7Gb/s的数据率。和采用130纳米工艺的先进读取信道相比，性能提高约50%。” 市场分析公司Gartner Dataquest于2005年8月发表的研究报告表明，在移动和台式设置应用的推动下，全球硬盘驱动器产品市场规模预计将从2005年的33亿美元增长到2009年的45亿美元，增幅近30%。 “这种读取信道技术的成功开发，进一步证明了日立存储和英飞凌科技的创新能力和设计专长，”日立环球存储技术有限公司高级董事兼明尼苏达罗彻斯特（Rochester）设计中心主任Steven Smith指出，“英飞凌展示了其在芯片开发和集成方面的领先地位，我们对第一种采用90纳米工艺制造的读取信道产品的性能感到非常满意。” 新一代读取信道技术可以支持一些高级的功能，如垂直录写，并利用第二代反向并联编码技术来大幅提高存储密度，实现更佳的信噪比（SNR）性能。 英飞凌的90纳米读取信道内核立足于一个通用架构，适用于所有硬盘驱动器细分市场（如企业级、台式、移动和超低功耗应用等）。按照每个细分市场的特定目标参数进行定制化设计，能够满足不同硬盘驱动器平台的要求。 目前英飞凌正在开发另一种读取信道内核产品，用于电池供电设备，旨在实现极低的功耗。由于采用了能够支持手机等便携产品的英飞凌90纳米工艺，这种产品还能实现超长的待机时间和更佳的泄漏电流表现。 英飞凌采用其90纳米CMOS工艺制造的全新读写信道内核，在单一芯片上融合了高性能、低能耗和模拟器件支持能力，可以满足不同应用的需要。英飞凌先进的工艺和设计体系，能够让设计商以经济合算的方式对单一芯片上的混合信号和数字信号处理（DSP）进行针对性优化，从而满足从高性能企业级服务器到低功耗便携式消费电子产品等各种应用的需求。90纳米CMOS工艺的主要优势是，利用先进的节能概念，如有源井、时钟门控（clock-gating）和带有6-9层铜金属化的微动开关等，将多个阈值电压和多个最小闸极尺寸仅为70纳米的闸极氧化层设备集成于单一芯片上。 英飞凌ADS事业部的新型硬盘驱动器控制器可以在全球各地多家芯片工厂生产，从而大大方便客户的供应链管理和业务拓展，这对硬盘驱动器行业尤其有益。目前，英飞凌位于德国德累斯顿的工厂和台湾联华电子公司都已引进英飞凌的90纳米生产工艺。