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问
要求Emitter-Base Voltage大于12V的
普通的晶体管Emitter-Base Voltage一般都是5V或6V的
哪位高手指点一下呢 答 1: 硅晶体管BVebo比较低是生产工艺的造成的普通硅晶体管为了提高放大能力,基区做的比较薄.为了提高发射区的电子或空穴发射能力,发射区的掺杂浓度比较高,造成BVebo比较低.在实际电路中如果要提高晶体管发射结的反向电压承受能力,可以在晶体管的基极串联二极管,工作时所施加的反向电压由二极管承受,或者在基极-发射极反向并联二极管钳位,晶体管发射结反向耐压低的问题是可以得到解决的. 答 2: 谢谢啊果然高手！万分感谢！ 答 3: To: tznhzj有道理.
不过, dycheng问的是BVebo,不是BVceo. 答 4: 那是笔误tznhzj说得十分对，只是把主题打错了。 答 5: 是不是设计问题?为什么要这样的管?好象不存在这样的管 答 6: BF422勉强可以到12V的BVebo. 答 7: 呵呵,谢谢各位指正,不好意思了,是笔误,以后一定注意.
普通的晶体管Emitter-Base Voltage一般都是5V或6V的
哪位高手指点一下呢 答 1: 硅晶体管BVebo比较低是生产工艺的造成的普通硅晶体管为了提高放大能力,基区做的比较薄.为了提高发射区的电子或空穴发射能力,发射区的掺杂浓度比较高,造成BVebo比较低.在实际电路中如果要提高晶体管发射结的反向电压承受能力,可以在晶体管的基极串联二极管,工作时所施加的反向电压由二极管承受,或者在基极-发射极反向并联二极管钳位,晶体管发射结反向耐压低的问题是可以得到解决的. 答 2: 谢谢啊果然高手！万分感谢！ 答 3: To: tznhzj有道理.
不过, dycheng问的是BVebo,不是BVceo. 答 4: 那是笔误tznhzj说得十分对，只是把主题打错了。 答 5: 是不是设计问题?为什么要这样的管?好象不存在这样的管 答 6: BF422勉强可以到12V的BVebo. 答 7: 呵呵,谢谢各位指正,不好意思了,是笔误,以后一定注意.
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