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问    现用LPC2106作控制器,因必须使用双精度浮点运算(C语言在ADS1.2下编译， Floating Point 选项：Pure-endian softfp),速度较慢.现处理速度需再提高2至3倍能不换片子，解决问题吗？谢谢！谢谢！！谢谢谢谢！！！！ 答 1: 使用多少晶振？PLL如何工作？MAM？？ 答 2: MCU设置Fosc=11059200
Fcclk=4*Fosc
Fcco=Fcclk*4
MAM=1-7皆试过
望赐教 答 3: 让CPU工作在11.0592*5！！！然后，FLASH工作在18.432！！！


这一招，坛子里好像只有......

咳！


使用18.432多爽！！

答 4: 这样试过吗Fosc=11059200
Fcclk=6*Fosc
Fcco=Fcclk*4
MAM=1-7皆试过 答 5: 这是最快的了#define   Fosc_M          5                     // 系统的倍频倍数
#define   Fcclk_Div       2                     // 各个设备从系统时钟的分频数
#define   Fosc            11059200              // 晶振频率,10MHz~25MHz，应当与实际一至，此处用11.0592M
#define   Fcclk           (Fosc * Fosc_M)       // 系统频率，必须为Fosc的整数倍(1~32)，且<=60MHZ，此处6倍频:66.3552M
#define   Fcco            (Fcclk * 4)           // CCO频率，必须为Fcclk的2、4、8、16倍，范围为156MHz~320MHz，此处4倍：265.4208M
#define   Fpclk           (Fcclk / Fcclk_Div)   // VPB时钟频率，只能为(Fcclk / 1、2、4)，此处为1/2：33.1776M


MAMCR = 2;                                        // 允许存储器加速模块



这是最快的了，不能再快了，可以倍到66.XXXMHZ，但是不稳定，会经常自动重启。 答 6: 能有优化双精度计算的算法吗？好像这才世界就之道 答 7: 我下一个设备准备用晶体10M,内部10*6M,不过,外部有点困难我选的FLASH和SRAM只是70ns的,所以,30M是不可能的,15M也有困能,还是10M吧 答 8: 浮点运算有优化的方案吗？我将编译器的优化开关（debug/option）Optimization Level 选为 All(poor debug view...)编译出来的代码居然将浮点运算优化掉了。只能选择Minimun才能出正确的运行结果。谁能说说？