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【吉时利讲堂】4200脉冲IV测量CMOS晶体管测试开始

高工
2012-05-19 13:51:30     打赏

在测试开始时,被测设备(DUT)的漏极由SMU2产生偏置,并等待门极脉冲开通晶体管产生漏极电流Id。

A:门极电压脉冲:这个波形是4200-PG2通道1的输出。除了一些小的电缆损失外,它的幅值与DUT门极(C)看到的相同。需要注意的是波形上没有直流偏移,这是因为任何直流电压会导致过多的功率散发在功率分配器上。

B:示波器(4200-SCP2通道1)测量得到门极电压脉冲:通过功率分配器传输后得到的脉冲的一部分。分频器和50Ω的输入阻抗使得脉冲的幅值减少了33%,同时还需加上任何额外的电缆损耗。 PulseIV校准会计算功率分配器和电缆引起的损耗。功率分配器将功率分成一半(3dB),这意味着实际电压低于根号2。因此, 2V脉冲得到约1.41V的信号(假设没有其他损失)。请注意,这种测量是用来确定Vg脉冲适当的幅值,但它并不测量门极电流。


SMU
1(未显示在图1b中):这是脉冲IV测试中,SMU1的输出电压。在项目的脉冲IV测试中,SMU1固定在0V。PulseIV-Complete

CDUT门极的电压脉冲:这个波形是在DUT门极“看到的”。这个脉冲开通晶体管并产生漏极电流的流动。脉冲IV校准考虑了布线的损耗,假设门极是高阻抗。

SMU2:通过远程偏置T型接头,施加在漏极的直流偏置。

D:漏极响应:此波形显示了直流偏置和门极脉冲的结果响应。注意,漏极是直流偏置,这个波形中的脉冲是门极脉冲的结果。漏极没有施加脉冲,而显示的脉冲是漏极电流流动的响应。

E:示波器(4200-SCP22)测得的漏极电压响应:漏极的响应是由于门极脉冲开通了晶体管,并允许漏极电流流过。这个漏电流,Id,通过示波器50Ω输入阻抗,它作为电流采样电阻(Rsense)而导致波形的电压降。它是负电压响应,这是由于电流通过50Ω电阻的流动方向和示波器参考地的原因。请注意,这个波形AC转移到0V,由于4200-RBT上的耦合电容。




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