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如图处理电源或直流信号之类的模拟开关中经常使用三极管做开关，图中的例子就是这样使用，图中电路输出0V/5V 信号接通断开+15V的电源。

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3.使用FET场效应管做开关
FET是一种由栅极电压控制漏极-源极间电流的电压控制型器件。作为开关器件使用时，流过栅极的电流只有非常小的漏极流过栅极，或加在栅极的电压对于流过漏极-源极的信号没有影响。而且漏极-源极间电流方向对于器件的工作也没有任何关系，所以可以使交流信号顺利通过，因此在开关低频交流信号的模拟电路中经常使用FET场效应管做开关。

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场效应管MOSFET为压控元件，你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止。

　　用场效应管MOSFET作开关还能减少功耗，开关特性较好。但为了减少开关动作时的毛刺，一般还要用RC电路作一个“软开关”。

下面是对场效应管MOSFET及场效应管MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括场效应管MOSFET的介绍，特性，驱动以及应用电路。

　　1，场效应管MOSFET种类和结构 场效应管MOSFET是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道场效应管MOSFET和增强型的P沟道场效应管MOSFET，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的场效应管MOSFET，不建议刨根问底。 对于这两种增强型场效应管MOSFET，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 场效应管MOSFET的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在场效应管MOSFET原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的场效应管MOSFET中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

　　2，场效应管MOSFET导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

　　3，MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的场效应管MOSFET会减小导通损耗。现在的小功率场效应管MOSFET导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 场效应管MOSFET在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。场效应管MOSFET两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，场效应管MOSFET的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

　　4，场效应管MOSFET驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使场效应管MOSFET导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在场效应管MOSFET的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而场效应管MOSFET的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计场效应管MOSFET驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动场效应管MOSFET。 上边说的4V或10V是常用的场效应管MOSFET的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

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5，场效应管MOSFET应用电路 场效应管MOSFET最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。 这三种应用在各个领域都有详细的介绍，这里暂时不多写了。以后有时间再总结。

　　简单的说三极管是电流控制元件，场效应管MOSFET是电压控制元件场。效应管MOSFET在开关电源中期开关作用用的最多，用时注意一下，电流，电压就可以了。也可以放大作用。

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使用FET场效应管做开关的内阻的一些问题

在实际使用场效应管做开关时，还要考虑它的几个重要参赛。现就mos管的内阻做一些经验总结，MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗，就是常说的内阻，数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS(ON) 是一个相对静态参数。

在 DC 电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如，两个并联的2Ω 电阻相当于一个1Ω的电阻 。因此，一般来说，一个低RDS(ON) 值的MOS管，具备大额定电流，就可以让使用者把开关中所用MOS管的数目减至最少。

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还喊口号呢，，向楼主学习，，写的很不错，学习

行啊~~

肿么写都给加分~~

还是建议分成单独的主题帖，形成连载的形式。主要是为了方便就某一个主题进行讨论。

单独的主题帖，形成连载的形式，，

这样的不就是连载么，，呵呵，好像没见规范格式。