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电路设计的工程师在选择一款75A大电流、100V低电压参数的国产替换MOS管是会如何考虑产品的需求呢？选择的产品是否可替换哪些型号呢？

带着这些疑问，我们首先可以了解到的是电路设计的工程师选择一款MOS管时，首先要重点关注的参数除了电压、电流外，还需要考虑其功率、封装、内阻等等方面。

今天要安利的是一款75A、100V的大电流、低压MOS管，75N100型号参数。

首先我们可以来看看这一款75A、100VMOS管75N100在实际的电路应用中适用于什么样的场景呢？

它作为一款N沟道沟槽工艺MOS管，以其75A、100V的特性，电路设计工程师一般会用在逆变器和电机驱动、开关电源、同步整流电路、逆变器前级DC-DC升压电路（Q1-Q2）中。

目前这一款75A、100V大流量、低电压的MOS管是能够匹配：IRFB4610、NCE01H10、HY3010这三款型号来替换使用的。

FHP75N100的主要封装形式是TO-220，脚位排列位GDS。这款75N100场效应管产品具体参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：75；BVdss（V）：100。RDS (on) = 10mΩ(typ)@V GS =10V，开关速度快。

所以电路设计工程师一般在设计时考虑替换场效应管这些是必然会考虑的，当然具体还要看产品的其它参数来深化测试适用性，这一步就需要到试样才能清晰了。毕竟实践才是检验真理的标准。

若要介绍一款75A大电流、100V低电压MOS管的话，优先推荐纯国产的75N100型号来在电路中使用。

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